STH12N60

STH110N10F7-2
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STH110N10F7-2参数：MOSFET N CH 100V 110A H2PAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STH110N10F7-2ViewAllSpecifications
标准包装：1,000
系列：StripFET™VII,DeepGATE™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：110A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：6.5毫欧@55A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5500pF@50V
功率-最大值：150W
安装类型：表面贴装
封装：2-SMD
供应商器件封装：H²PAK