STL13NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL13NM60NViewAllSpecifications特色产品： ST-PowerFLAT?8x8HV标准包装：3,000系列：Mdmesh™II包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：385毫欧@5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：30nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：790pF@50V功率-最大值：90W安装类型：表面贴装封装：5-PowerVDFN供应商器件封装：5-PowerFlat?HV（8x8）