STL16N65M5参数：MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL16N65M5ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：Mdmesh™V包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：650V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：299毫欧@6A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1250pF@100V功率-最大值：3W安装类型：表面贴装封装：5-PowerFlat?HV供应商器件封装：PowerFLAT?（8x8）
