STL3NM60N参数：MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STL3NM60NViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：Mdmesh™II包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.8欧姆@1A,10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：9.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：188pF@50V功率-最大值：22W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）
