STL3NM60N参数:MOSFET N CH 600V 2.2A POWERFLAT
类别:分立半导体产品-FET - 单其它有关文件: STL3NM60NViewAllSpecifications标准包装:3,000系列:Mdmesh™II包装:带卷(TR)FET类型:MOSFETN通道,金属氧化物FET功能:标准漏源极电压(Vdss):600V电流-连续漏极(Id)(25°C时):2.2A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):1.8欧姆@1A,10V不同Id时的Vgs(th)(最大值):4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):9.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss):188pF@50V功率-最大值:22W安装类型:表面贴装封装:8-PowerVDFN供应商器件封装:PowerFlat?(3.3x3.3)