STL6N2VH5参数：MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：STripFET™ V包装：*FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：30 毫欧 @ 3A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：550pF @ 16V功率 - 最大值：2.4W安装类型：*封装：*供应商器件封装：*
