STL8DN6LF3参数：MOSFET N CH 60V 20A 5X6
类别：分立半导体产品-FET - 阵列其它有关文件： STL8DN6LF3ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™III包装：带卷(TR)FET类型：2个N沟道（双）FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：30毫欧@4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：668pF@25V功率-最大值：65W安装类型：表面贴装封装：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerFlat?（5x6）
