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STN1HNK60

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相关型号： STN1802 STN02SYBN-RC STN02SYBN STN0214 STN0201N STN0101N

STN1HNK60
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STN1HNK60参数：MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STN1HNK60ViewAllSpecifications
标准包装：4,000
系列：SuperMESH™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：400mA
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5欧姆@500mA，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：156pF@25V
功率-最大值：3.3W
安装类型：表面贴装
封装：TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：SOT-223

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