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STP11NM60N

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相关型号： STP11NM60FP STP11NM60FDFP STP11NM60FD STP11NM60A STP11NM60 STP11NM50N

STP11NM60N
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STP11NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 10A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP11NM60NViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：10A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：450毫欧@5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：31nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：850pF@50V
功率-最大值：90W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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