STP12NB30

STP12N65M5
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STP12N65M5参数：MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP12N65M5ViewAllSpecifications
产品培训模块： 5thGenerationHighVoltageMosfetTechnology
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：650V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.5A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：430毫欧@4.3A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：22nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：900pF@100V
功率-最大值：70W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
工具箱：497-8012-KIT-ND-KITMOSFETMDMESH