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STP12NM50

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相关型号： STP12NK80Z STP12NK60Z STP12NK30Z STP12N65M5 STP12IE90F4 STP120NH03L

STP12NM50
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STP12NM50参数：MOSFET N-CH 500V 12A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP12NM50ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：12A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：350毫欧@6A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：39nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：1000pF@25V
功率-最大值：160W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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