STP190N55LF3参数：MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP190N55LF3ViewAllSpecifications标准包装：50系列：STripFET™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：55V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.7毫欧@30A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：6200pF@25V功率-最大值：312W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220-3