STP1NA60

STP1N105K3
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STP1N105K3参数：MOSFET N CH 1050V 1.4A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP1N105K3ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：SuperMESH3™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：1050V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：1.4A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：11欧姆@600mA,10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@50µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：180pF@100V
功率-最大值：60W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220