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STP200NF04

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STP200NF04
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STP200NF04参数：MOSFET N-CH 40V 120A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP200NF04ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：STripFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：40V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：3.7毫欧@90A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：210nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5100pF@25V
功率-最大值：310W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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