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STP25NM60ND

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相关型号： STP25NM60N STP25NM50N STP25N80K5 STP24NM65N STP24NM60N STP24NF10

STP25NM60ND
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STP25NM60ND参数：MOSFET N-CH 600V 21A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP25NM60NDViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：FDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平门
漏源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：160毫欧@10.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：80nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：2400pF@50V
功率-最大值：160W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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