STP28NM50N参数：MOSFET N-CH 500V 21A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP28NM50NViewAllSpecifications标准包装：1,000系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：21A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：158毫欧@10.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：50nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1735pF@25V功率-最大值：90W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB工具箱：497-8013-KIT-ND-KITHIGHPOWERMOSFET12VALUES
