STP32NM50N参数：MOSFET N CH 500V 22A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP32NM50NViewAllSpecifications标准包装：50系列：Mdmesh™II包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：500V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：22A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：130毫欧@11A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：62.5nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1973pF@50V功率-最大值：190W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220
