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STP4NB50

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STP4NB50FP 优势库存
ST
TO220F
2023+
684
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STP4NB50
STMicroelectro..
TO-220
2023+
500
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STP4NB50FTU
ST
TO-220F
2023+
21278
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STP4NB50
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TO-220
2023+
22557
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STP4NB50FP
ST
TOP-220FP
2023+
2500
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STP4NB50FP
ST
TOP-220FP
2023+
904
品质保证,价格优惠
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STP4NB50
STMicroelectro..
TO-220-3()
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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STP4NB50
STMicroelectro..
TO-220-3
2023+
1250
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STP4NB50FPFQPF3N50
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TO-220F
2023+
1417
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STP4NB50F
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2023+
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相关型号： STP4NB100 STP4N62K3 STP4N52K3 STP4N150 STP4CMPQTR STP46NF30

STP4NB50
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STP4NB50参数：MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：PowerMESH™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：3.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.8 欧姆 @ 1.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：400pF @ 25V
功率 - 最大值：80W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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