STP6N120K3参数：MOSFET N-CH 1200V 6A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STP6N120K3ViewAllSpecifications标准包装：50系列：SuperMESH3™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1200V（1.2kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：2.4欧姆@2.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：34nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1050pF@100V功率-最大值：150W安装类型：通孔封装：TO-220-3整包供应商器件封装：TO-220工具箱：497-8014-KIT-ND-KITWIDEINPUTMOSFET12VALUES