STP80NE03L06

STP80NE03L-06
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STP80NE03L-06参数：MOSFET N-CH 30V 80A TO220

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：50
系列：-
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：6 毫欧 @ 40A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：130nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：8700pF @ 25V
功率 - 最大值：150W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB