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STP80PF55

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STP80PF55
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STP80PF55参数：MOSFET P-CH 55V 80A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP80PF55ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：STripFET™
包装：管件
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：80A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：18毫欧@40A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：258nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：5500pF@25V
功率-最大值：300W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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