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STP8NM50

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相关型号： STP8NK85Z STP8NK80ZFP STP8NK80Z STP8NK100Z STP8N80K5 STP8N65M5

STP8NM50
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STP8NM50参数：MOSFET N-CH 550V 8A TO-220

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STP8NM50ViewAllSpecifications
标准包装：50
系列：MDmesh™
包装：管件
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：标准
漏源极电压(Vdss)：550V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：800毫欧@2.5A，10V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：13nC@10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：415pF@25V
功率-最大值：100W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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