STQ1HNK60R-AP参数：MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STQ1HNK60RViewAllSpecifications标准包装：2,000系列：SuperMESH™包装：带盒（TB）FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：400mA不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8.5欧姆@500mA，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：10nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：156pF@25V功率-最大值：3W安装类型：通孔封装：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线供应商器件封装：TO-92
