STS6NF20V

STS6NF20V
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STS6NF20V参数：MOSFET N-CH 20V 6A 8SOIC

类别：分立半导体产品-FET - 单
其它有关文件： STS6NF20VViewAllSpecifications
标准包装：2,500
系列：STripFET™
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物
FET功能：逻辑电平栅极，2.5V驱动
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：40毫欧@3A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：600mV@250µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：11.5nC@4.5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：460pF@15V
功率-最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm宽）
供应商器件封装：8-SO