STT6N3LLH6参数：MOSF N CH 30V 6A SOT23-6
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STT6N3LLH6ViewAllSpecifications标准包装：3,000系列：STripFET™VI,DeepGATE™包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：30V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：6A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：25毫欧@3A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：3.6nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss)：283pF@24V功率-最大值：1.6W安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6供应商器件封装：SOT-23-6
