STU7NM60N参数：MOSFET N-CH 600V 5A IPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STU7NM60NViewAllSpecifications标准包装：75系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：900毫欧@2.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：14nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：363pF@50V功率-最大值：45W安装类型：通孔封装：TO-251-3长引线，IPak，TO-251AB供应商器件封装：I-Pak