STV160NF02LAT4参数：MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：600系列：STripFET™包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：160A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.7毫欧 @ 80A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：175nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5500pF @ 15V功率 - 最大值：210W安装类型：表面贴装封装：PowerSO-10 裸露底部焊盘供应商器件封装：PowerSO-10
