STW11NK100Z参数：MOSFET N-CH 1KV 8.3A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STW11NK100ZViewAllSpecifications标准包装：30系列：SuperMESH™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：1000V（1kV）电流-连续漏极(Id)（25°C时）：8.3A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：1.38欧姆@4.15A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4.5V@100µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：162nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：3500pF@25V功率-最大值：230W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247-3