STW20NM60参数：MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
类别：分立半导体产品-FET - 单其它有关文件： STW20NM60ViewAllSpecifications标准包装：30系列：MDmesh™包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：20A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：290毫欧@10A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：54nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1500pF@25V功率-最大值：192W安装类型：通孔封装：TO-247-3供应商器件封装：TO-247-3