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SUD09P10-195

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VISHAY
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相关型号： SUD08P06-155L-T4E3 SUD08P06-155L-E3 SUD06N10-225L-E3 SU-CT1 SUB75P03-07-E3 SUB16396

SUD09P10-195-GE3
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SUD09P10-195-GE3参数：MOSFET P-CH 100V DPAK

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：100V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：195 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34.8nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1055pF @ 50V
功率 - 最大值：2.5W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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