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SUD35N05-26L

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SUD35N05-26L 优势库存
VISHAY
TO252
2023+
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SUD35N05-26L-E3
Vishay Silicon..
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2023+
9120
品质保证,价格优惠
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SUD35N05-26L-E3
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2023+
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252
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原装现货
相关型号： SUD25N15-52-T4-E3 SUD25N15-52-E3 SUD25N04-25-T4-E3 SUD25N04-25-E3 SUD23N06-31-T4-GE3 SUD23N06-31L-T4-E3

SUD35N05-26L-E3
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SUD35N05-26L-E3参数：MOSFET N-CH D-S 55V TO252

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：55V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：35A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：885pF @ 25V
功率 - 最大值：50W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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