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SUD50N04-05L-E3

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Vishay Silicon..
TO-252AA
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Vishay/Silicon..
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2023+
1250
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D-PAK
2023+
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深圳市跃创科技有限公司 VIP现货会员
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VISHAY
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优势现货量大可供实单价可谈
相关型号： SUD50N03-16P-GE3 SUD50N03-16P-E3 SUD50N03-12P-E3 SUD50N03-11-E3 SUD50N03-09P-GE3 SUD50N03-09P-E3

SUD50N04-05L-E3
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SUD50N04-05L-E3参数：MOSFET N-CH D-S 40V TO252

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：2,000
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：115A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：135nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5600pF @ 25V
功率 - 最大值：136W
安装类型：表面贴装
封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）

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