SUD50P06-15-GE3参数：MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：50A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 17A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：165nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4950pF @ 25V功率 - 最大值：113W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-252，（D-Pak）