SUP85N02-03-E3参数：MOSFET N-CH D-S 20V TO220AB
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：500系列：TrenchFET®包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：20V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：85A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 30A，4.5V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：450mV @ 2mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：200nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：21250pF @ 20V功率 - 最大值：250W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220AB
