SUP85N03-3M6P-GE3参数:MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB
类别:分立半导体产品-FET - 单标准包装:500系列:TrenchFET®包装:带卷 (TR)FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):30V电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):85A不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.6 毫欧 @ 22A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):100nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3535pF @ 15V功率 - 最大值:3.1W安装类型:通孔封装:TO-220-3供应商器件封装:TO-220AB