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SUP85N03

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SUP85N03 优势库存
VISHAY
TO-220
2023+
5350
原装现货质量保证
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SUP85N03-3M6P-GE3
Vishay Silicon..
TO-220AB
2023+
500
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SUP85N03-04P-E3
Vishay Silicon..
TO-220AB
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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SUP85N03-07BP
VISHAY
2023+
7278
全新进口原装现货,保证质量
SUP85N03-04P
VISHAY
TO-220
2023+
13146
全新进口原装现货,保证质量
SUP85N03-04P
VISHAY
TO-220
2023+
24260
品质保证,价格优惠
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SUP85N03
2023+
784
品质保证,价格优惠
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SUP85N03-04P-E3
Vishay/Silicon..
TO-220-3
2023+
1250
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SUP85N03-3M6P-GE3
Vishay/Silicon..
TO-220-3
2023+
1250
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SUP85N03-07P
VISHAY
TO-220
2023+
6278
全新进口原装现货,保证质量
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SUP85N03
2023+
2062
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SUP85N03-04
VISHAY
TO-220
2023+
216
工厂配单，价格优势
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SUP85N03-04P-E3
VISHAY
TO220-AB
2023+
1328
工厂配单，价格优势
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SUP85N03-07
10000
原装正品，价格优势！
2023+
SSOP48
￥16+
SUP85N03-07P
VISHAY
库房现货原装进口
2023+
5600
相关型号： SUP85N02-03-E3 SUP75P05-08-E3 SUP75P03-07-E3 SUP75N03-04-E3 SUP70N03-09BP-E3 SUP65P04-15-E3

SUP85N03-04P-E3
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SUP85N03-04P-E3参数：MOSFET N-CH D-S 30V TO220AB

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：85A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.3 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：90nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V
功率 - 最大值：3.75W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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