TF252TH-5-TL-H

TF252TH-5-TL-H
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TF252TH-5-TL-H参数：JFET N-CH 20V 1MA 3VTFP

类别：分立半导体产品-JFET（结点场效应
产品目录绘图： VTFP3PackageN-ChannelTop
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷(TR)
不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss)：210µA@2V
漏源极电压(Vdss)：-
漏极电流(Id)-最大值：1mA
FET类型：N沟道
电压-击穿(V(BR)GSS)：-
不同Id时的电压-截止（VGS关）：100mV@1µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)：3.1pF@2V
电阻-RDS（开）：-
安装类型：表面贴装
封装：3-SMD，扁平引线
供应商器件封装：3-VTFP
功率-最大值：100mW