TJ120F06J3(TE24L,Q参数：MOSFET P-CH 60V 120A TO-220SM
类别：分立半导体产品-FET - 单产品目录绘图： TO-220SM TO-220SMEnd标准包装：1,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物FET功能：逻辑电平门漏源极电压(Vdss)：60V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：120A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：8毫欧@60A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：258nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：11640pF@10V功率-最大值：300W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：TO-220SM（W）
