TJ30S06M3L(T6L1,NQ参数：MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：2,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：60V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：21.8 毫欧 @ 15A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：80nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3950pF @ 10V功率 - 最大值：68W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK+
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