TK10P60W,RVQ参数：MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs标准包装：2,000系列：-包装：带卷(TR)FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：9.7A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：430毫欧@4.9A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@500µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：20nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：700pF@300V功率-最大值：80W安装类型：表面贴装封装：TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63供应商器件封装：DPAK
