TK35E08N1,S1X参数：MOSFET N CH 80V 35A TO-220
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： SiliconN-channelMOSFETSiliconN-channelMOSFET标准包装：50系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：80V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：35A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：12.2毫欧@17.5A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：4V@300µA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：25nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：1700pF@40V功率-最大值：72W安装类型：通孔封装：TO-220-3供应商器件封装：TO-220-3
