TK39J60W,S1VQ参数：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
类别：分立半导体产品-FET - 单特色产品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs标准包装：25系列：-包装：管件FET类型：MOSFETN通道，金属氧化物FET功能：标准漏源极电压(Vdss)：600V电流-连续漏极(Id)（25°C时）：38.8A不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：65毫欧@19.4A，10V不同Id时的Vgs(th)（最大值）：3.7V@1.9mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：110nC@10V不同Vds时的输入电容(Ciss)：4100pF@300V功率-最大值：270W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P（N）
