TK62J60W,S1VQ参数：MOSFET N CH 600V 61.8A TO-3P(N)
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：25系列：-包装：管件FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：600V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：61.8A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：38 毫欧 @ 30.9A， 10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 3.1mA， 10V不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：180nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6500pF @ 300V功率 - 最大值：400W安装类型：通孔封装：TO-3P-3，SC-65-3供应商器件封装：TO-3P（N）
