TPC6003(TE85L,F,M)参数：MOSFET N-CH 30V 6A VS6 2-3T1A
类别：分立半导体产品-FET - 单标准包装：3,000系列：-包装：带卷 (TR)FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：6A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：24 毫欧 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：25nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1250pF @ 10V功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6供应商器件封装：VS-6（2.9x2.8）
