TPC8A02-H

TPC8A02-H(TE12L,Q)
PDF资料下载

TPC8A02-H(TE12L,Q)参数：MOSFET N-CH SBD 16A SOP8 2-6J1B

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：3,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：5.6 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1970pF @ 10V
功率 - 最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：8-SOP（5.5x6.0）