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TPCF8B01

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TPCF8B01(TE85L,F,M
Toshiba Semico..
VS-8（2.9x1.5）
2023+
500
全新原装进口现货品质保证
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TPCF8B01TE85L.F
TOSHIBA
SOT283
2023+
5278
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TPCF8B01
TOSHIBA
SOT-283
2023+
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TPCF8B01
Toshiba
2023+
6000
品质保证,价格优惠
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TPCF8B01(TE85L)
Toshiba代理分销
8-SSON
2023+
1250
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TPCF8B01(TE85LFM
Toshiba代理分销
8-SSON
2023+
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TPCF8B01(TE85LF)
Toshiba代理分销
8-SSON
2023+
11350
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TPCF8B01(TE85L.F)
TOSHIBA
原装现货
2023+
4500
相关型号： TPCF8A01(TE85L,F) TPCF8A01(TE85L) TPCF8402(TE85L,F,M TPCF8402(TE85L) TPCF8305,LF(J TPCF8304(TE85L,F,M

TPCF8B01(TE85L)
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TPCF8B01(TE85L)参数：MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

类别：分立半导体产品-FET - 单
产品目录绘图： TPC8A,TCP8BSeriesSide TPC8A,TCP8BSeriesTop
标准包装：4,000
系列：-
包装：带卷(TR)
FET类型：MOSFETP通道，金属氧化物
FET功能：二极管（隔离式）
漏源极电压(Vdss)：20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）：2.7A
不同?Id、Vgs时的?RdsOn（最大值）：110毫欧@1.4A，4.5V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）：1.2V@200µA
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)：6nC@5V
不同Vds时的输入电容(Ciss)：470pF@10V
功率-最大值：-
安装类型：表面贴装
封装：8-SMD，扁平引线
供应商器件封装：VS-8（2.9x1.9）

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