US5K3TR参数：MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5
类别：分立半导体产品-FET - 阵列标准包装：1系列：-包装：剪切带 (CT)FET 类型：2 个 N 沟道（双）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：1.5A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：-不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：表面贴装封装：TUMT5供应商器件封装：TUMT5
VISHAYDO-214AB2023+17350原装现货质量保证
