US6K4TR参数:MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
类别:分立半导体产品-FET - 阵列产品目录绘图: TUMT-6PackageTop特色产品: ECOMOS?SeriesMOSFETs标准包装:3,000系列:-包装:带卷(TR)FET类型:2个N沟道(双)FET功能:逻辑电平门漏源极电压(Vdss):20V电流-连续漏极(Id)(25°C时):1.5A不同?Id、Vgs时的?RdsOn(最大值):180毫欧@1.5A,4.5V不同Id时的Vgs(th)(最大值):1V@1mA不同Vgs时的栅极电荷(Qg):2.5nC@4.5V不同Vds时的输入电容(Ciss):110pF@10V功率-最大值:1W安装类型:表面贴装封装:6-SMD,扁平引线供应商器件封装:TUMT6