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VDZT2R9.1B

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相关型号： VDZT2R8.2B VDZT2R7.5B VDZT2R6.8B VDZT2R6.2B VDZT2R5.6B VDZT2R5.1B

VDZT2R9.1B
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VDZT2R9.1B参数：DIODE ZENER 9.1V 100MW VMD2

类别：分立半导体产品-单二极管/齐纳
标准包装：8,000
系列：-
包装：带卷 (TR)
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：9.1V
容差：±2%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流：500nA @ 6V
功率 - 最大值：100mW
阻抗（最大值）(Zzt)：30 欧姆
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：-
安装类型：表面贴装
封装：2-SMD，扁平引线
供应商器件封装：VMD2
工作温度：-55°C ~ 150°C

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