VM0550-2F参数：MOSFET N-CH 100V 590A MODULE
类别：半导体模块-FET标准包装：3系列：HiPerFET™包装：散装FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：590A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.1 毫欧 @ 500mA，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2000nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：50000pF @ 25V功率 - 最大值：2200W安装类型：底座安装封装：模块供应商器件封装：模块
