VWM350-0075P参数：MOSFET 6N-CH 75V 340A 75V V2
类别：半导体模块-FET标准包装：6系列：-包装：散装FET 类型：6 N-沟道（3 相桥）FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：75V电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：340A不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.3 毫欧 @ 250A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 2mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：450nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安装类型：通孔封装：V2-PAK供应商器件封装：V2-PAK
